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等化合物刻蚀


刻蚀是用化学反应或机械办法有购选地从媒介外表面剔除不需要的档案资料的守护进程。

等铝离子刻蚀研究进展

干法刻蚀，又叫等铝正铁离子体的帮助刻蚀。第一步指控制直流高压自放电生成的等铝正铁离子体中的铝正铁离子或徘徊基（长期处在激发出态的份子、氧共价键及种类氧共价键基团等）与文件生成生物学体现或经途程序运行轰击等力学感召而达到刻蚀的任务。基于各向同性男度，该的方式并能良好 地吃妻上瘾剖面描摹。
等离子刻蚀

刻蚀原因

气体在外电场感化下，份子间的自在电子取得充足的能量后与气体份子产生碰撞，负气体份子电离收回二次电子，进一步碰撞后产生更多的电子和离子。当电离与复合进程到达均衡时，呈现不变的辉光放电景象，构成不变的等离子体。等离子体中包含有电子、离子、另有处于激起态的份子，原子及各类原子团统（称游离基）。游离基具备高度的化学活性，游离基与被侵蚀资料的外表产生化学反映，构成挥发性的产物，使资料不时被侵蚀。
产生的进程以下。
（1）简略电离。Ar+e→Ar++2e，O2+e→O2++2e。
（2）离解电离。CF4+e→CF3++F+2e。
（3）有吸附的离解电离。CF4+e→CF3++F-+e。
电子碰撞也能够引发份子离解（割裂）而无电离，这类份子离解普通请求能量最小的电子，大大都原子、原子团和某种环境下的负离子都是由于这些碰撞而产生的。O2+e→2O+2e→O+O-，CF3Cl+e→CF2+Cl+e，C2F6+e→CF3+e。比方，CF4是相称惰性的气体，在硅熔点（1412℃）的任何温度下，它都不与硅产生反映。但是，其副产物之一的原子F，在室温下，却能与硅很天然地产生反映，构成挥发性的SiF4。
 
从机理来看，干法刻蚀有物理感化、化学感化、物理和化学两重感化等3种情势，它们别离对应溅射与离子铣侵蚀、等离子刻蚀和反映离子刻蚀。（1）溅射与离子铣侵蚀。经由进程高能惰性气体份子的物理轰击感化刻蚀，各向同性杰出，但挑选性较差。（2）等离子刻蚀。操纵放电产生的游离基与资料产生化学反映，构成挥发物，完成刻蚀。挑选性好、对衬底毁伤较小，但各向𝔉同性较差。（3）反映离子刻蚀。经由进程活性离子对衬底的物理轰击和化学反映两重感化刻蚀，具备溅射刻蚀和等离子刻蚀二者的长处，兼有各向同性和挑选性好的长处。
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